Lezione 08 Di Laurea Online

Come costruire un metodo di maschi

Conduce a effetto speciale della Sala. Sperimentalmente, Senza = (RB + memoria ad accesso casuale) j, dove R —, Ra — coefficiente () insolito della Sala. Tra Ra e resistenza specifica di correlazione ferromagnetics è istituito.

dove  un angolo tra vettori di N e J ( <180 °). Quando Hj, le dimensioni di un campo di Hall Ekh sono massime: Senza = RHj. R chiamata dal coefficiente di Hall è la caratteristica principale di effetto di Hall. L'effetto è aperto da Edwin Herbert Hall nel 1879 in sottile di oro. Per la supervisione di Hall di effetto lungo piatti rettangolari da sostanze, l quale lunghezza è più che larghezza di b e spessore di d, la corrente :

La caratteristica importante di sostanza è la mobilità in è corrieri attuali muti. La velocità media acquisita da corrieri a intensità di un campo, l'unità uguale è chiamata come mobilità di corrieri di corrente. Se nel campo d'intensità E i ottengono la velocità u che la mobilità del loro u0 è uguale:

L'esperienza di Tolmen e Stewart in cui l'impulso di corrente di j collegato a inerzia di elettroni liberi è stato osservato è conosciuta. A divisione inerziale di accuse nel conduttore c'è un'intensità elettrica di campo di E. Se mettere un tal conduttore in un campo magnetico di B, è necessario aspettare l'apparizione della F.E.M. simile a effetto della Sala causata da azione di forza di Lorentz su elettroni inerziali.

L'apparizione in un con corrente j la densità, N, in un campo magnetico, un campo elettrico di Ekh, la perpendicolare N e j è chiamata come effetto della Sala. Così il del campo elettrico chiamato ancora dal campo di Sala è uguale:

Qualche volta alla descrizione della Sala di effetto entrano in un angolo della Sala di  tra corrente di j e la direzione di un campo totale E: tg = Ex/E=, dove  — la frequenza di ciclotrone di di un'accusa. In campi deboli ( <

Il nuovo effetto fisico causato da azione di forza di Lorentz su elettroni del semiconduttore è predetto, il movimento è accelerato. L'espressione per un campo della Sala è ricevuta e le stime di tensione di Sala per heterostructure due-dimensionale reale sono eseguite. L'analisi dello schema possibile di rinforzo di un campo di Sala sull'esempio di due elementi di Sala, uno di cui — il generatore di tensione e il secondo — il carico è fatto.

Consideriamo una di opportunità di rinforzo di effetto sull'esempio di due elementi di Sala uno di cui (I) è il generatore di campo di Sala e il secondo (II) — il carico. Lo schema di connessioni di elementi di Sala I e II è mostrato in disegno.

Per mezzo della Sala di F.E.M. del sensore è possibile misurare qualsiasi quantità fisica che è non ambiguamente collegata a un campo magnetico; soprattutto è possibile cambiare la corrente come intorno al conduttore con corrente il campo magnetico che può esser misurato è formato. Sulla base della Sala di F.E.M. del sensore ampermeters su correnti a 100 kA sono creati. Salvo che la Sala di sensori di F.E.M. è usata in strumenti di misura di movimenti lineari e angolari, e anche in strumenti di misura di una pendenza di un campo magnetico, un flusso magnetico e un potere di macchine elettriche, in convertitori contactless di una corrente continua in variabile, e, alla fine, nelle teste riproducenti di sistemi di una registrazione sana.

La mobilità può esser collegata a  e concentrazione di corrieri n. Con questo scopo divideremo il rapporto j=neu in intensità di un campo E. Avendo preso in considerazione che la relazione j a E dà  e relazione u a E - la mobilità, riceveremo: